Οι δηλώσεις αυτές, έγιναν από το υψηλόβαθμο στέλεχος της εταιρείας Mark Bohr, κατά τη διάρκεια του συνεδρίου IDF που ολοκληρώθηκε εχθές στο Σαν Φρανσίσκο.
Η Ιntel βρίσκεται σε διαδικασία μετάβασης από την κατασκευαστική μέθοδο των 22 νανομέτρων, με βάση την οποία κατασκευάζονται οι γνωστοί Ivy Bridge επεξεργαστές της. Ο Bohr δήλωσε ότι πλέον οι ρυθμοί παραγωγής στα 22 νανόμετρα, έχουν φτάσει αυτά της προηγούμενης γενιάς επεξεργαστών, των 32 νανομέτρων, αφού οι αρχικές αστοχίες της παραγωγής που αντιμετώπισαν, έχουν βελτιωθεί σημαντικά.
Ο Bohr σημείωσε κατά την ομιλία του πως η “3D” tri-gate δομή των transistor που εισήγαγε η εταιρεία με τους Ivy Bridge, θα επεκταθεί στην κατασκευαστική μέθοδο των 14 νανομέτρων το 2013 και πιθανώς να διατηρηθεί και για τα 10 νανόμετρα, στα προϊόντα που αναμένονται το 2015.
Η υπάρχουσα λιθογραφική μέθοδος κατασκευής των 22 νανομέτρων, είναι πιθανό να διατηρηθεί για 2 ακόμη γενιές επεξεργαστών, ενώ η επόμενης γενιάς λιθογραφική μέθοδος, “extreme ultraviolet” ( EUV ) θα έρθει με τη γενιά των 10 νανομέτρων.
Mετά τα 10 νανόμετρα, η Intel έχει θέσει στόχο τα 7 και κατόπιν τα 5 νανόμετρα, κάτι που θα συνεχίσει να επαληθεύει το νόμο του Moore , για μικρότερους και πυκνότερους επεξεργαστές, περίπου κάθε 18 μήνες.
Βεβαίως, στη φάση των 5 νανομέτρων, το πιθανότερο είναι πως δε θα χρησιμοποιείται πυρίτιο. Ο Bohr ήταν φειδωλός ως προς τις πληροφορίες σε αυτό το σημείο και το μόνο που ανέφερε, ήταν πως η γραφίνη ( ή γραφένιο ) είναι ένα από τα υλικά που πιθανώς χρησιμοποιηθούν στους μελλοντικούς επεξεργαστές.
secnews.gr , e-pcmag.gr
Δεν υπάρχουν σχόλια :
Δημοσίευση σχολίου