Δύο κορυφαίες εταιρίες του χώρου, η Micron που σχεδιάζει μνήμες τύπου DRAM και η Cadence η οποία ειδικεύεται στην σχεδίαση controllers και διεπαφών σύνδεσης ανέπτυξαν ένα σύστημα για την δοκιμή των πρώτων DDR5 DIMMs.
Η κατασκευή των πρώτων DRAM γίνονται από την TSMC στη λιθογραφία των 7nm με πυκνότητα 8Gb ανά chip καταφέρνοντας ταχύτητες 4400 megatransfers ανά δευτερόλεπτο που είναι περίπου 37.5% ταχύτερα από τον κορυφαία μέχρι στιγμής DDR4 μνήμη της αγοράς.
Όσον αφορά τα specs, αξίζει να αναφέρουμε πως το demo έτρεχε με CAS latency 42 ns ενώ λειτουργούσε με τάση 1.1 volt, ένας αριθμός που για τη συχνότητα είναι αρκετά εντυπωσιακός στη γενιά των τωρινών DDR4.
Η Cadence που ανέπτυξε τον ελεγκτή και την διεπαφή του συστήματος αναφέρει πως ταχύτητες μέχρι και τα 6400 megatransfers (ή MHz) θα είναι εφικτές στη πορεία της ανάπτυξης και με μνήμες διπλάσιας πυκνότητας από του demo (16Gb).
Αντίστοιχα η εταιρία προβλέπει τα πρώτα συστήματα που θα βασίζονται στις DDR5 να έρθουν στην αγορά κάποια στιγμή μέσα στο 2019.
Το διάγραμμα που παρατίθεται δείχνει την παραγωγή μνημών στην αγορά καθώς και τον αυξημένο ρυθμό υιοθέτησης των mobile DRAM από τους κατασκευαστές smartphones κάτι που έχει ωθήσει τις τιμές σε αρκετά υψηλά επίπεδα.
Οι αυξημένες τιμές αποτελούν για αρκετούς το βασικό κίνητρο για την ανάπτυξη νέων τύπων όπως του DDR5 που βλέπουμε από την Micron.
Η εταιρία JEDEC που είναι υπεύθυνη για την οριστικοποίηση των standards δεν αναμένεται να ολοκληρώσει την αξιολόγηση μέχρι και το καλοκαίρι του τρέχοντος έτους.
Δεν υπάρχουν σχόλια :
Δημοσίευση σχολίου